| 003 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
CO-NeUS |
| 005 - FECHA Y HORA DE ACTUALIZACIÓN |
|---|
| 005 |
20180209100421.0 |
| 008 - LONGITUD FIJA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
141113e1996 xxuado f |||| 00| 0 eng d |
| 020 ## - INTERNATIONAL STANDARD BOOK NUMBER |
|---|
| ISBN |
0201543931 |
| 040 ## - FUENTE DE CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
CO-NeUS |
| Lengua de catalogación |
|
| 041 ## - IDIOMA |
|---|
| Código de lengua del texto/banda sonora o título independiente |
inglés |
| 100 ## - AUTOR PERSONAL |
|---|
| nombre |
Pierret, Robert F. |
| 9 (RLIN) |
74852 |
| 245 ## - TÍTULO PROPIAMENTE DICHO |
|---|
| título |
Semiconductor Device Fundamentals |
| Mención de responsabilidad, etc. |
Robert F. Pierret |
| 250 ## - EDICIÓN |
|---|
| edición |
Primera edición. |
| 264 ## - PIE DE IMPRENTA |
|---|
| lugar (ciudad) |
Reading, Massachusetts |
| editorial |
Addison Wesley Longman |
| fecha |
1996 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
xxiii, 792 páginas |
| Ilustraciones |
ilustraciones |
| Dimensiones |
24 cm. |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA |
|---|
| Bibliografía, etc. |
Incluye referencias bibliográficas e índice. |
| 505 ## - NOTA DE CONTENIDO |
|---|
| Nota de contenido |
Semiconductor Fundamentals – Semiconductors : A General Introduction – General material properties -- Crystal Structure -- Carrier Modeling – The Quantization Concept -- Carrier Properties -- Carrier Action – Drift -- Diffusion -- Recombination–Generation – Equations of State -- Supplemental Concepts -- Basics of Device Fabrication – Fabrication Processes -- pn Junction Diodes -- pn Junction Electrostatics -- pn Junction Diode: I – v Characteristics – pn Junction Diode: Small-Signal Admittance -- pn Junction Diode : Transient Response -- Optoelectronic Diodes -- BJTs and Other Junction Devices -- BJT Static Characteristics -- BJT Dynamic Response Modeling -- PNPN Devices -- MS Contacts and Schottky Diodes -- Field Effect Devices -- MOS fundamentals -- MOSFECTs- The Essentials -- Nonideal MOS -- Modern FET Structures -- Appendices. |
| 082 ## - CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY |
|---|
| edición |
21 |
| Clasificación |
621.3815284 |
| Clave de autor |
P615s |
| 650 ## - MATERIA GENERAL |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Field |
| Subdivisión general |
Effect transistors |
| 9 (RLIN) |
110557 |
| 650 ## - MATERIA GENERAL |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Transistores de efecto de campo |
| 9 (RLIN) |
133633 |
| 650 ## - MATERIA GENERAL |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
Semiconductores |
| 9 (RLIN) |
131251 |
| 942 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL KOHA |
|---|
| Tipo de ítem Koha |
Libros |
