000			nam a22 7a 4500
999			_c46696 _d46696
005			20210923083543.0
008			210909s1981 xxua|||| |||| 00| 0 eng d
020			_a 0471056618
040			_aCO-NeUS _bspa _erda
041			_aeng
100	1	0	_985708 _aSze, S. M., _eaut _q(Simon Min)
245	1	0	_aPhysics of semiconductor devices / _cS.M. Sze.
250			_aSecond edition
264	1		_aNew York : _bWiley-Interscience Publication, _c1981.
300			_axii, 868 pages : _billustrations ; _c24 cm.
336			_2rdacontent _atxt
337			_2rdamedia _an _bn
338			_2rdacarrier _anc _bnc
347			_2rda
500			_a"A Wiley-Interscience publication"
504			_aIncludes bibliographical references and index
505			_aFísica de semiconductores - Dispositivos bipolares - Transistor bipolar - Tiristores - Dispositivos unipolares - Contactos metal-semiconductores - JFET y MESFET - Diodo MIS y CCD - MOSFET - Dispositivos especiales de microondas - Dispositivos de túnel - Impatt y Diodos de tiempo de tránsito relacionados - Dispositivos de transferencia de electrones - Dispositivos fotónicos - Láseres LED y semiconductores - Fotodetectores - Celis solar -
505			_aSemiconductor Physics -- Bipolar Devices -- Bipolar Transistor -- Thyristors -- Unipolar Devices -- Metal-Semiconductor Contacts -- JFET and MESFET -- MIS Diode and CCD -- MOSFET -- Special Microwave Devices -- Tunnel Devices -- Impatt and Related Transit-Time Diodes -- Transferred-Electron Devices -- Photonic Devices -- Led and semiconductor Lasers -- Photodetectors -- Solar Celis --
520			_a"Since the discovery of the transistor effect in 1947 by a research team at Bell Telephone Laboratories (now Nokia Bell Labs.), The field of semiconductor devices has grown rapidly. Coinciding with this growth, the literature on semiconductor devices has expanded and To access this enormous amount of information, a book is needed that provides a comprehensive introductory description of device physics and operating principles, with references. In order to meet that need, the First Edition of Physics of Devices Semiconductors were published in 1969. It is perhaps somewhat surprising that the book has remained for so long as one of the premier textbooks for advanced undergraduate and graduate students in applied physics, electrical and electronic engineering, and materials science. because the book includes a lot of useful information about the parameters of the materials and device physics, it is also an important reference for engineers and scientists in research and development of semiconductor devices. To date, the book is one of the most cited works, if not the most, in contemporary engineering and applied science publications with more than 55,000 citations (Google Scholar)"
520			_a "Desde el descubrimiento del efecto transistor en 1947 por un equipo de investigación de Bell Telephone Laboratories (ahora Nokia Bell Labs.), El campo de los dispositivos semiconductores ha crecido rápidamente. Coincidiendo con este crecimiento, la literatura sobre dispositivos semiconductores se ha expandido y diversificado. Para acceder a esta enorme cantidad de información, es necesario un libro que ofrezca una descripción introductoria completa de la física de los dispositivos y los principios operativos, con referencias. Con la intención de satisfacer esa necesidad, la Primera Edicion de Physics of Dispositivos semiconductores, publicado en 1969. Quizás sea algo sorprendente que el libro se haya mantenido durante tanto tiempo como uno de los principales libros de texto para estudiantes avanzados de pregrado y posgrado en física aplicada, ingeniería eléctrica y electrónica, y materiales. ciencia. Debido a que el libro incluye mucha información útil sobre los parámetros de los materiales y la física de los dispositivos, también es una referencia importante para los ingenieros y d científicos en investigación y desarrollo de dispositivos semiconductores. Hasta la fecha, el libro es uno de los trabajos más citados, si no el más, en publicaciones contemporáneas de ingeniería y ciencias aplicadas con más de 55.000 citas (Google Scholar) "
082	0	4	_221 _a537.6 / _bSz21p
650	1	4	_9131252 _aSemiconductors
650	1	4	_93377 _aSemiconductores
942			_2ddc _cCG _h537.6 / _kSz21p